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天岳先进深度报告:中国半绝缘型SiC衬底龙头发力导电片!

  1. 2022-05-17 12:21:07上传人:Pr**碎°
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  • 1. 天岳先进:半绝缘型碳化硅衬底领军企业
  • 1.1. 国内半绝缘碳化硅衬底龙头
  • 1.2. 实控人技术背景,公司获华为哈勃战略投资
  • 1.3. 营收成长稳健,良率提升改善毛利水平
  • 2. 第三代半导体前景广阔,衬底是核心技术环节
  • 2.1. 宽禁带半导体性能优越
  • 2.2. 量产 +技术进步下,成本与传统硅基器件价差缩小
  • 2.3. 衬底环节技术壁垒高
  • 3. 碳化硅衬底格局:海外寡头垄断,天岳 突出重围
  • 3.1. 海外企业在份额和技术上领先,天岳先进跻身全球前列
  • 3.2. 新能源产业链带动下,国内碳化硅企业奋力追赶
  • 4. 顺势而为:发力导电型 SiC 衬底,平台型企业有望充分受益
  • 4.1. 政策加码,国内碳化硅产业链逐步完善
  • 4.2. 公司扩产发力导电型衬底,产线向大尺寸进一步跃升
  • 5. 盈利预测与估值:
  • 5.1. 盈利预测
  • 5.2. 可比公司与估值
  • 5.3. 投资意见
  • 6风险提示
  • 图 1:公司业务为第三代半导体产业链核心环节
  • 图 2:公司股权穿透图
  • 图 3:公司营业收入(亿元)
  • 图 4:公司扣非归母净利润(亿元)
  • 图 5:公司毛利率持续改善
  • 图 6: 2020 年公司业务结构
  • 图 7:第三代半导体具备更优越的性能
  • 图 8:碳化硅衬底功率器件具备更 小的导通损耗
  • 图 9:碳化硅衬底功率器件具备更好的散热性能
  • 图 10:2019 -2025 年全球 GaN 器件市场规模
  • 图 11:201 9-2025 年全球 SiC 器件市场规模
  • 图 12:全球半绝缘型碳化硅衬底销量预测(万片)
  • 图 13:2019 -2025 年全球 GaN 器件市场规模(元 /W )
  • 图 14:2019 -2025 年全球 SiC 器件市场规模(元 /A)
  • 图 15:全球碳化硅(导电型 &半绝缘型)衬底主要竞争格局
  • 图 16:国外企业碳化硅衬底尺寸演进路径
  • 图 17:国内企业碳化硅衬底尺寸演进路径
  • 图 18:我国碳化硅产业链不断发展
  • 图 19:我国碳化硅行业痛点得以 改善
  • 图 20:我国第三代半导体投资额逐年增长(亿元)
  • 图 21:公司导电型衬底投资项目进度表
  • 图 22:公司积极推动衬底尺寸升级
  • 表 1:碳化硅衬底制备的主要环节
  • 表 2:海外主要碳化硅衬底企业对比
  • 表 3:国内企业对比
  • 表 4:盈利预测(单位:百万元)
  • 表 5:可比公司估值
  • 表附录:三大报表预测值

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