电子行业简评报告：小于1nm新工艺，有望绕开EUV光刻机限制

核心观点小于1nm新工艺问世根据2024年7月3日发表于《NatureNanotechnology》的文章《Integrated1Depitaxialmirrortwinboundariesforultrascaled2DMoS2field-effecttransistors》，可以实现宽度小于1nm的一维金属材料在二维电路中应用，作为超小型二维晶体管的栅极电极。该成果标志着下一代半导体及基础材料科学的重大突破。