技术突破！SK海力士首发第六代10纳米DRAM芯片

　　全球第二大存储芯片制造商SK海力士周四（8月29日）表示，已开发出业界首款第六代10纳米级动态随机存取存储器（DRAM）芯片，该芯片的功耗比旧型号更低、能效则更高。

　　SK海力士在一份声明中表示，这款DRAM芯片名为1c 16Gb DDR5，其中的1c代表了SK海力士的第六代10纳米工艺。

　　据介绍，此次1c 16Gb DDR5芯片将主要用于高性能数据中心，其运行速度为8Gbps（每秒8千兆比特），与前一代相比速度提高了11%；此外该芯片还比前一代的能效提高了9%以上。